通過條件
成  績 :60 分
  • Lecture 1 : Introduction
  • Lecture 2 : Cleanroom and wafer cleaning
  • Lecture 3 : Crystal growth and Epitaxy
  • Lecture 4 : Photolithography (Part I)
  • PR data sheet : AZ 5214E
  • PR data sheet : DUV PR
  • Lecture 4: Photolithograpy (Part II)
  • Lecture 4 : Photolithography Future trend
  • Lecture 5 : Oxidation and Thermal Process
  • Lecture 6 : Etch Basics and Wet Etch
  • Lecture 6 Reference - HF MSDS
  • Lecture 6 Reference - How to read MSDS and chemical labels
  • Lecture 8 : Plasma and Dry etching (Part I)
  • Lecture 8 : Dry Etching (part II)
  • Lecture 9 : Diffusion and Ion implantation (part I)
  • Lecture 9 : Ion implantation (part II)
  • Lecture 9 : Impantation safty and future trend
  • Lectrue 10 : CVD (part I)
  • Lecture 10 : CVD (part II)
  • Lecture 10 : Future trend
  • Lecture 11 : Metallization (part I)
  • Lecture 11 : Metallization (part II)
  • Lecture 7 : Vacuum system
  • Lecture 12 : Process integration
  • Lecture 12 : CMOS after 2010
  • Lecture 12 : Copper interconnection
授課老師
黃滿芳
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