通過條件
成 績 :60 分
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Lecture 1 : Introduction
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Lecture 2 : Clean room and Wafer cleaning
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Lecture 3 : Crystal growth and Epitaxy
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Lecture 4 : Photolithograpy
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Lecture 5 : Oxidation
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Lecture 6 : Wet etching
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Lecture 8 : Plasma and Dry etching
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Lecture 9 : Diffusion and implatation
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Lecture 10 : CVD
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Lecture 11: PVD and matallization
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