通過條件
成  績 :60 分
  • Lecture 1 : Introduction
  • Lecture 2 : Introduction to epitaxy and MOVPE
  • Lecture 3 : MBE
  • Lecture 4 : GaN growth by MBE (part I)
  • Lecture 4 : RHEED (part II)
  • Lecture 5 : XRD (part I)
  • Lecture 5 : XRD (part II)
  • Lecture 6 : OM and AFM
  • Lecture 7 : SEM
  • Lecture 8 : Luminescence
  • Lecture 8 Ref #1
  • Lecture 8 Ref #2
  • Lecture 8 Ref #3
  • Lecture 9 : SIMS
  • Lecture 9 Ref #1
  • Lecture 9 Ref #2
  • Lecture 10 : Resistivity and mobility measurement (part I)
  • Lecture 10 Ref #1 - original paper
  • Lecture 10 Ref #2 - Hall measurement worksheet
  • Lecture 10 : (part II) C-V
  • C-V ref #1
  • C-V Ref #2
  • C-V Ref - Derivation of Debye Length
  • Lecture 11 : I-V/L-I and Failure analysis
  • L11 Ref #1
  • L11 Ref#2
  • L11 Ref #3
授課老師
黃滿芳
推薦課程
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